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2019-05-22 | 中央商情

台記憶體材料大突破 體積縮小容量更大

台灣研發團隊首創鐵酸鉍結合光學技術,讓記憶體體積可以大幅縮小,同時也降低耗能,成果更登上國際期刊自然材料。

科技部今天舉行「顛覆傳統0與1的世界:下世代光控多元記憶材料研究刊登國際期刊」記者會,成功大學物理系團隊耗時2年,在記憶體材料鐵酸鉍研究有重大突破,團隊首創光學技術,結合多鐵性材料鐵酸鉍,讓記憶體體積大幅縮小,研究成果也刊登在國際頂尖期刊「自然材料」(NatureMaterials)。

國立成功大學物理系助理教授兼科技部愛因斯坦計畫主持人的楊展其表示,相較一般傳統記憶體只能儲存0與1,基礎記憶單元只能靠不斷縮小元件尺寸,才能提高記憶體密度。

楊展其說,不過,鐵酸鉍材料可以儲存高達8種邏輯狀態(0到7),大幅度提升儲存資訊的密度。以相同儲存量為前提,使用鐵酸鉍材料的記憶體體積可以小至100倍。

團隊研究最大突破在於「光撓效應」,利用「光」控制鐵酸鉍中的多位元記憶組態。楊展其指出,傳統記憶體材料已經不便宜,電路製作又要再花費開銷。現在只要靠光調控鐵酸鉍的記憶組態,就不需要複雜的電路,也可以縮小記憶體體積。

他也說,相較於現今商用非揮發性記憶體有斷電長時間後會損失資料的問題,多鐵性材料更加穩定,不需要插電就可以保持記憶,而且就算在攝氏400度的高溫下仍然可以維持記憶組態。

楊展其表示,簡單來說就是更小、容量更大、更省錢。

不過,楊展其也坦言,因為現在商用演算法都是用二進位、0與1,鐵酸鉍材料距離商用還有很大長路要走,現在需要全新演算法,不過,在材料開發上已經跨出一大步。

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