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2019-04-24 | 科技新報

維持半導體領導者地位,三星宣布近台幣 4 兆元大規模投資計畫

維持半導體領導者地位,三星宣布近台幣 4 兆元大規模投資計畫

雖然隨著 2018 下半年之後記憶體跌價,記憶體龍頭三星開始削減產能相關資本支出。不過,對於半導體與產品發展,三星似乎沒有停止發展的打算,還在進一步增加投資。24 日,三星就宣布了一個大計畫,預計 2030 年前投資 133 兆韓圜(約新台幣 3.9 兆元)加強半導體業務,期望成為記憶體及邏輯晶片的領導者。

維持半導體領導者地位,三星宣布近台幣 4 兆元大規模投資計畫

大家應該都不陌生,三星集團的業務中,半導體業務占比很高,分為記憶體、邏輯晶片等兩大塊市場。在邏輯晶片部分,除了自產 Exynos 處理器及其他專用領域晶片,還有幫其他半導體業者代工。記憶體業務方面,DRAM 業務占了全球的 40%~45% 市占率,NAND Flash 也占全球市場 30%~35% 市占率。也正因為如此,過去兩年,因記憶體大漲價,三星市值一舉超越英特爾,成為 2017、2018 年全球半導體的龍頭,拉下英特爾保持了 25 年的紀錄。

維持半導體領導者地位,三星宣布近台幣 4 兆元大規模投資計畫

不過,因為 2018 下半年開始的記憶體價格下跌,導致三星營收嚴重下滑,因此英特爾將重新超越三星,重回全球第一大半導體公司的寶座。而雖然市場的環境不佳,讓三星營收衰退,也減少了針對記憶體產能的資本支出。不過,針對半導體產業的技術投資,三星似乎不打算放手。畢竟,過去三星能在 DRAM 市場能夠戰勝爾必達、奇夢達等對手脫穎而出,很大程度上就是靠逆市週期加大投資的戰略。所以,現在三星又準備再使出此一殺手鐧。

三星 24 日宣布,將在 2030 年之前投資 133 兆韓圜來升級半導體業務。針對如此大手筆投資,三星的規劃是其中的 73 兆韓圜將是技術研發費用,60 兆韓圜則是建設晶圓廠等基礎設施的費用。而整個計畫預計會創造 1.5 萬個就業機會,也預計使得三星在 2030 年時不僅保持記憶體的領先,還要在邏輯晶片的研發與生產上成為領導者。

三星並不是第一個提出百兆韓圜投資的半導體公司,2019 年 2 月底,南韓另一家記憶體大廠 SK Hynix 也提出了類似的計畫,也預計投資 1,070 億美元建設 4 座晶圓廠,並且升級兩座舊的晶圓廠產線。而 SK 海力士的大規模投資中,其目的為了確保南韓公司在中國努力成為全球先進半導體國家的過程中不被超越,保持自身優勢的關鍵。而雖然三星的公告中沒有提及其他國家對整體半導體產業的因素影響。但是,中國企業在半導體產迅速崛起,顯然給了三星不小的壓力。因此,這次三星宣布大規模投資計畫,多少可看出三星的因應之道。

(首圖來源:Flickr/DennisM2 CC BY 2.0)

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