2024-12-30 | 中央社
鴻海研究院運用AI 加速開發碳化矽功率元件
鴻海旗下鴻海研究院今天宣布,利用人工智慧(AI)加速開發第三代半導體碳化矽(SiC)功率元件,成果獲國際期刊IEEE OJPEL刊登。
鴻海研究院透過新聞稿指出,半導體研究所攜手人工智慧研究所以及鴻揚半導體,結合AI學習模型與強化學習(Reinforcement Learning)技術,加速碳化矽功率半導體的研發進程,相關研究成果發表在國際期刊IEEE Open Journal of Power Electronics(OJPEL)。
鴻海研究院說明,相關技術能模擬和調整複雜的製程參數,縮短元件開發時間並降低研發成本,強化功率半導體領域碳化矽研發技術。
鴻海研究院舉例,在高壓高功率的碳化矽元件保護環研究,研究團隊針對保護環的關鍵參數,進行製程模擬與元件特性模擬,並將結果輸入AI模型,建立保護環的AI模型。
鴻海研究院指出,相關模型能根據所需的元件特性進行參數回饋,透過數據分析與預測,進一步提升碳化矽元件的性能與製程效率,最後透過實際製程進行驗證。相關研究成果除了可以強化設計外,未來更可延伸至製程改良和故障診斷,擴大應用範圍。
鴻海研究院透過新聞稿指出,半導體研究所攜手人工智慧研究所以及鴻揚半導體,結合AI學習模型與強化學習(Reinforcement Learning)技術,加速碳化矽功率半導體的研發進程,相關研究成果發表在國際期刊IEEE Open Journal of Power Electronics(OJPEL)。
鴻海研究院說明,相關技術能模擬和調整複雜的製程參數,縮短元件開發時間並降低研發成本,強化功率半導體領域碳化矽研發技術。
鴻海研究院舉例,在高壓高功率的碳化矽元件保護環研究,研究團隊針對保護環的關鍵參數,進行製程模擬與元件特性模擬,並將結果輸入AI模型,建立保護環的AI模型。
鴻海研究院指出,相關模型能根據所需的元件特性進行參數回饋,透過數據分析與預測,進一步提升碳化矽元件的性能與製程效率,最後透過實際製程進行驗證。相關研究成果除了可以強化設計外,未來更可延伸至製程改良和故障診斷,擴大應用範圍。
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