2025-06-16 | 中央社
鴻海研究院攻AI伺服器先進晶片 獲IEEE ISPSD肯定
鴻海今天表示,旗下鴻海研究院研發應用在人工智慧(AI)伺服器的單晶片整合電路關鍵技術,以及AI伺服器所需高效電源控制技術,均獲國際功率半導體會議IEEE ISPSD 2025接受,於6月初在日本熊本發表。
鴻海研究院透過新聞稿說明,半導體研究所所長郭浩中及博士蕭逸楷,與陽明交通大學副教授吳添立、教授陳柏宏、中央大學副教授杜長慶合作,結合鴻揚半導體碳化矽製程代工平台,自主研發碳化矽製程,應用在AI伺服器的單晶片整合電路關鍵技術,相關技術可克服傳統矽基電路在高溫(超過150°C)下效能衰減限制。
鴻海指出,相關設計可與現有碳化矽元件製程相容,無需額外製程步驟,在高溫環境中實現更精準的類比訊號處理,適用在極端環境下的感測與控制系統。單晶片整合電路技術的研究成果,可在300°C環境下穩定運作,克服傳統矽電路高溫限制。
此外,鴻海研究院半導體所研究團隊也與陳柏宏和杜長慶研究團隊合作,開發出整合Burst Mode控制與Soft-Start功能的LLC諧振轉換器控制器,可降低輕載功耗並提升系統啟動穩定性。
鴻海說明,在Burst Mode控制下,輕載時可減少開關損耗,提升待機效率;在Soft-Start可平滑啟動系統,避免大電流衝擊元件,並採用零電流切換(ZCS)控制技術,減少電磁干擾(EMI)與能量損耗。
鴻海研究院透過新聞稿說明,半導體研究所所長郭浩中及博士蕭逸楷,與陽明交通大學副教授吳添立、教授陳柏宏、中央大學副教授杜長慶合作,結合鴻揚半導體碳化矽製程代工平台,自主研發碳化矽製程,應用在AI伺服器的單晶片整合電路關鍵技術,相關技術可克服傳統矽基電路在高溫(超過150°C)下效能衰減限制。
鴻海指出,相關設計可與現有碳化矽元件製程相容,無需額外製程步驟,在高溫環境中實現更精準的類比訊號處理,適用在極端環境下的感測與控制系統。單晶片整合電路技術的研究成果,可在300°C環境下穩定運作,克服傳統矽電路高溫限制。
此外,鴻海研究院半導體所研究團隊也與陳柏宏和杜長慶研究團隊合作,開發出整合Burst Mode控制與Soft-Start功能的LLC諧振轉換器控制器,可降低輕載功耗並提升系統啟動穩定性。
鴻海說明,在Burst Mode控制下,輕載時可減少開關損耗,提升待機效率;在Soft-Start可平滑啟動系統,避免大電流衝擊元件,並採用零電流切換(ZCS)控制技術,減少電磁干擾(EMI)與能量損耗。
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