工研院先進半導體研發基地砸37.72億元 2028年啟用

工研院先進半導體研發基地今天動土，預計2027年12月建物完工，2028年第1季起陸續啟用，總投資金額新台幣37.72億元，將具有IC設計創新試產驗證、先進半導體製程開發及設備材料在地化驗證等3大任務。

行政院長卓榮泰表示，台積電積極協助半導體研發基地設置，除捐贈3部12吋的半導體高階製程的開發相關設備，也對整個建廠設計給予相當多的協助與指導。

工研院今天舉辦先進半導體研發基地動土典禮，行政院長卓榮泰、經濟部長龔明鑫、國科會主委吳誠文，以及鈺創董事長盧超群、帆宣總經理林育業、天虹執行長易錦良、副總經理羅偉瑞、日月光副總經理洪志斌和台積電、聯電、世界先進、力積電、南亞科、弘塑等多名產業界代表皆出席參加。

經濟部產業技術司司長郭肇中表示，這座先進半導體研發基地經過2年規劃，預計2027年12月建物完工，2028年第1季起陸續啟用。

郭肇中指出，先進半導體研發基地建築挑高8公尺，每平方公尺可承重2公噸，並有獨立結構抗震。建物經費6.88億元，無塵室經費30.84億元，總計投入37.72億元。

郭肇中表示，基地內將設有先進半導體製程試產線、次微米感測晶片試產線、先進封裝試產線以及檢量測驗證實驗室。

郭肇中說，先進半導體研發基地將具有3大任務，包括IC設計創新試產驗證、先進半導體製程開發及設備材料在地化驗證，估計將有助於半導體業者縮減產品開發時間約30%。