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2024-05-21 | 中央商情

力積電調整產品線投資策略 預期下半年營收逐步回升

力積電(6770)總經理謝再居今天表示,力積電近年調整產品線投資策略,開發BCD製程製作電源管理IC,擴大快閃記憶體產品線,及開發晶圓對晶圓堆疊技術,預期下半年至明年上半年,調整成效顯現,營收可望逐漸回升。

晶圓代工廠力積電今天召開股東常會,因董事長黃崇仁遲到,會議一開始由謝再居代為主持。謝再居說,近一年來,雖然人工智慧(AI)產業非常火熱,但是手機及電腦市場呈現萎縮、衰退,相關半導體產線如顯示器IC、影像感測器、電源管理IC都受到很大衝擊。

謝再居表示,類標準型動態隨機存取記憶體(DRAM)市價也隨著整體記憶體市場崩跌,使得力積電2023年總營收衰退42%,至新台幣440億元。包括認列103億元閒置產能會計項目損失,及銅鑼新廠24億元開辦費用,全年虧損16億元。

謝再居指出,疫情過後,應用市場反彈並沒有預期的好,尤其在中國市場非常疲弱,客戶庫存調整拉長,影響客戶下單信心,加上中國成熟製程產能擴充及嚴厲競爭,代工單價緩步下調,農曆年後才有止穩跡象,其中只有記憶體代工有回升。

為順應供應鏈調整地緣政治效應,以及中國業者競爭,謝再居說,力積電近2年努力調整產品線投資策略,試著迎接有離開中國生產產品的客戶需求,如積極開發BCD製程,製作電源管理IC,爭取物聯網、AI、高速運算、電動車等高成長市場使用的機會。

謝再居表示,力積電還逐漸擴大單層式儲存型快閃記憶體(SLCNANDFlash)及高密度編碼型快閃記憶體(NORFlash)產品線,服務客戶,應用包括網通、行動裝置、物聯網及電腦週邊。

至於8吋晶圓代工方面,謝再居說,力積電與客戶合作持續精進功率元件如金氧半場效電晶體(MOSFET)、絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)產品特性,提高競爭力,同時積極推展第3代半導體氮化鎵,滿足客戶多元需求。

謝再居表示,生成式AI應用逐漸普遍,力積電已經開發晶圓對晶圓堆疊技術多年,等待AI從大型伺服器運算中心,擴展到特殊應用的邊緣運算,就可以提供高頻寬低耗電解決方案。

謝再居說,期待相關調整及準備工作於下半年至明年上半年,當客戶庫存調整恢復正常後,成效就會顯現,加上銅鑼廠產線下半年開始提供業務新機會,營收將會逐漸回升。力積電股東會承認去年度財報,並決議不配發股利。

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