IET-KY Q1虧損1.54元 4大產品線有亮點

【記者柯安聰台北報導】IET-KY（4971）公告114年第1季營收2.7億元，年增43.19%，毛利率34.68%，稅後淨損0.6億元，每股虧損1.54 元。

IET-KY表示，第1季因公司股價漲幅增加，致可轉換CB評價依公允市價評估負債而認列損失，屬營業外會計項目，本業雖獲利，但CB評價金額較大而產生淨損，CB在第1季幾乎已轉換完畢，並已在4月下櫃。公司第1季營收年增逾4成，營運成長動能無虞，4月營收為0.85億元，年增29.79%。

磷化銦(InP)為IET-KY的主力產品，1Q營收佔比超過5成，應用之一是資料中心的100G光模組接收端的PIN PD，受惠於AI運算需求成長，有明顯增長。而據客戶反饋，公司以MBE技術生產的200G PD有關鍵優勢，隨著高速傳輸需求逐步增加，未來相關營收成長可期。其他如可應用於光模組之驅動電路的HBT，以及特定情形下的光模組接收端的APD等InP產品也隨運算需求有成長。

砷化鎵(GaAs)為IET-KY另一主要產品線，營收佔比2成5以上，其終端應用包含射頻相關、汽車防撞雷達及國防應用，客戶為歐美大廠，目前需求穩定。因應AI需求成長，公司將研發重心放在可應用於資料中心100G以上光模組發射端的VCSEL，期望在AI運算的AOC (active optical cable，主動式光纜)市場佔得一席之地。

銻化鎵(GaSb)產品方面，營收佔比近2成，終端應用在國土保全、夜視系統等紅外探測裝置，成長動能來自於美國和其他國家之國防訂單。美國國防相關銻化鎵紅外磊晶片需求持續成長，其他國家客戶的銻化鎵磊晶片需求亦同步增加。

銻化鎵(GaSb)產品毛利率較高，目前相關產能已接近滿載，公司計畫於今年下半年或明年啟動下一部機台因應日益增長的訂單需求，預計可增加3成產能，高毛利產品出貨增加，有利公司產品組合優化。

此外，IET-KY在氮化鎵(GaN)產品線，公司特殊的二次磊晶技術可提升GaN產品應用於高頻高電壓元件以及AI資料庫伺服器內功率轉換元件，客戶反應熱烈，目前配合市場需求，規劃在台灣設置機台，縮短客戶生產週期。公司除了生產磊晶片，亦有機台業務，因自製硬體零組件技術成熟，自行發展之機台除供應新廠陸續擴充產能外，也有生產部分機台關鍵零件銷售予長期合作夥伴，營收佔比逐漸提高。

在AI、5G、國防等趨勢向上不變之下，IET-KY的4大產品線各有成長動能，在營收放大同時，公司產能亦逐漸吃緊，擴廠計劃預計於今年第3季執行，待產能逐步到位，營收成長可期。（自立電子報2025/5/7）