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2024-05-21 | 中央社

Transphorm的SuperGaN亮相PCIM 2024展會:在大功率系統中超越碳化矽和增強型氮化鎵的能力

Transphorm的SuperGaN亮相PCIM 2024展會:在大功率系統中超越碳化矽和增強型氮化鎵的能力

(中央社訊息服務20240521 14:17:27)Transphorm常關耗盡型(D-Mode)平台帶來的更低損耗、更高性能,以及突破性的氮化鎵產品創新,使電動車、資料中心/人工智慧和其他多市場電源系統成為可能 加利福尼亞州戈利塔--(美國商業資訊)--全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)今天宣布,將在2024德國紐倫堡電力電子系統及元件展覽會(PCIM 2024)上展示其超越競爭對手的寬能隙技術。例如,與碳化矽相比,Transphorm的常關耗盡型SuperGaN®平台具有更高的電子移動率,從而降低了交叉損耗,為各種電動車、資料中心/人工智慧、基礎設施、再生能源和其他廣泛的工業應用提供了更具成本效益、效能更高的解決方案。如需瞭解更多資訊,可在2024年6月11至13日的PCIM展會期間,蒞臨Transphorm位於7號展廳108展位進行面對面交流。 Transphorm SuperGaN場效電晶體正投產於廣泛的客戶產品,這些產品的功率範圍涵蓋從低功率的45瓦電源配接器到高功率的7.5千瓦電源裝置。其中許多客戶產品是首批公開認可的基於氮化鎵的同類系統,展示了SuperGaN平台獨有的優勢。例如,如前所述的用於關鍵任務資料中心/區塊鏈應用的7.5千瓦液冷電源、功率密度大於82瓦/立方英吋的2.7千瓦伺服器CRPS電源(目前所有氮化鎵電源系統中最高),以及2.2千瓦和3千瓦機架式1U不間斷電源(UPS)。 這些設計的成功表明,Transphorm有能力推動氮化鎵進入各種應用市場,預計到2028年,氮化鎵的整體潛在市場(TAM)將達到80億美元。 除了實際的客戶產品外,Transphorm繼續引領技術成果,最近展示了5微秒短路耐受時間、雙向四象限開關和1200伏藍寶石氮化鎵裝置。 現場演示將包括用於兩輪和三輪電動車充電器的Transphorm解決方案,以及適用於再生能源系統、資料中心等的電源裝置。 演講活動歡迎蒞臨展會的Bodo’s Power Systems部分,瞭解更多關於Transphorm氮化鎵解決方案如何在技術上超越競爭對手,並實現跨產業創新的更多資訊。 小組討論:氮化鎵寬能隙設計——電力的未來主講人: Philip Zuk,商務拓展與行銷高級副總裁日期:6月12日時間:當地時間下午2:20 – 3:20 地點:7號展廳743展位 一個核心平台,覆蓋功率頻譜 Transphorm是領先的氮化鎵功率半導體公司,其技術的與眾不同之處在於: 可製造性:涵蓋EPI設計、晶圓製程和場效電晶體芯設計的垂直整合。 可設計性:提供知名的業界標準封裝和高效能封裝,同時與全球客戶合作,實現更簡單、更快速的系統開發。可驅動性:提供與矽同等的可驅動器件,並可與成品控制器和驅動器配對,同時只需極少的外部電路。 可靠性:在從低功率到高功率的應用中,經過超過3,000億小時的現場運行,目前的失效率小於0.05,仍處於行業領先地位。線下交流如需在展會期間與Transphorm安排會面,請聯繫vipin.bothra@transphormusa.com。關於 Transphorm Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者,致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一,持有或取得授權的專利超過1,000多項,在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益於垂直整合的業務模式,公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新,包括設計、製造、器件和應用支援。Transphorm的創新使電力電子設備突破矽的局限性,實現了超過99%的效率,並將功率密度提高50%,將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於美國加州戈利塔,並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊,請造訪:www.transphormusa.com歡迎關注Twitter:@transphormusa以及微信公眾號:TransphormGaN氮化鎵。 SuperGaN 標誌是 Transphorm, Inc.的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。 免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

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