Kioxia因3D NAND快閃記憶體發明榮獲FMS終身成就獎

Kioxia因3D NAND快閃記憶體發明榮獲FMS終身成就獎

(中央社訊息服務20240726 16:59:02)公司開發團隊因研發了開創性的BiCS FLASH 3D快閃記憶體技術而受到表揚 東京--(美國商業資訊)-- NAND快閃記憶體的發明者Kioxia Corporation榮獲2024年「FMS未來記憶體和儲存終身成就獎」。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido和Hiroyasu Tanaka組成的Kioxia工程團隊將領取這一殊榮，以表揚其在3D快閃記憶體開發和商業化方面的開創性工作。這項突破性技術已成為一系列運算應用的基礎，包括先進智慧型手機、個人電腦、固態硬碟、資料中心、人工智慧和工業。

Kioxia在2007年的VLSI研討會上提出了BiCS FLASHTM 3D快閃記憶體技術的概念。在公布原型後，Kioxia繼續透過開發推動該技術的最佳化，以實現量產，最終於2015年推出了全球首款256 Gb、48層3D快閃記憶體。

FMS總主席Chuck Sobey表示：「Kioxia在3D快閃記憶體領域的創新徹底改變了資料儲存，將其從現有技術的單純進步改變為滿足現代運算需求的開創性解決方案。我們很高興能展示這一重要貢獻，並期待著看到未來的發展。」

BiCS FLASH 3D快閃記憶體採用3D堆疊結構，可提高容量和效能，一直是儲存產業的變革力量。該技術實現了更高密度的儲存解決方案，同時保持了可靠性和效率，極大地增強了資料中心、消費電子產品和行動裝置的功能，並為快閃記憶體技術設立了新基準。透過利用垂直堆疊技術，Kioxia的BiCS FLASH技術解決了平面NAND快閃記憶體的局限性，為記憶體儲存解決方案的未來發展奠定了基礎，並鞏固了Kioxia Corporation作為產業領導者的地位。

Kioxia Corporation記憶體部門副總裁兼技術主管Atsushi Inoue表示：「Kioxia在3D快閃記憶體領域的技術創新怎麼強調都不為過。我們的技術開創了產業的新典範，使快閃記憶體大幅提高了每個單元、裸片和封裝的儲存密度。我很高興看到我們的成就得到肯定，並期待見證它們在未來幾年的持續影響力。」 Kioxia Corporation先進記憶體開發中心資深研究員Ryota Katsumata表示：「我的Kioxia工程師同事們不僅在技術上取得了巨大成就，而且致力於透過不斷創新和支援周圍的技術人員來推動相關領域的發展，從而樹立了榜樣。我們的貢獻不僅產生了巨大的影響，還在社群內培養了創新和協作精神。很高興看到這種領導力和遠見得到肯定。」

這項3D快閃記憶體技術還獲得了2020年日本國家發明表彰會頒發的帝國發明獎，並獲得了2023年日本文部科學省科學技術表彰會頒發的科學技術獎和2021年IEEE Andrew S. Grove獎。 注：公司名稱、產品名稱和服務名稱可能第三方公司的商標。 關於 Kioxia Kioxia 是全球記憶體解決方案領域的領軍企業，致力於快閃記憶體和固態硬碟 (SSD)的開發、生產和銷售。其前身是 Toshiba Memory，於 2017 年 4 月從 Toshiba Corporation（1987 年發明了 NAND 快閃記憶體）剝離出來。Kioxia 致力於憑藉記憶體技術促進世界發展，該公司提供各種產品、服務和系統，為客戶提供多樣化選擇，並基於記憶體技術創造價值，推動社會的發展。Kioxia 創新的 3D 快閃記憶體技術 BiCS FLASH™正在塑造儲存技術在高密度應用領域（包括高級智慧型手機、PC、SSD、汽車和資料中心）的未來。免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。