晶片技術洩漏約損失2.3兆元！前三星主管遭通緝

（記者陳奕廷／綜合報導）一名前三星電子主管涉嫌向中國長鑫儲存技術公司洩漏晶片技術，首爾法官發出逮捕令。

綜合《韓國經濟日報》、《韓聯社》等報導，三星電子前部長金某涉嫌將18奈米級DRAM核心技術非法轉讓給中國晶片製造商長鑫存儲。韓國檢方認為，金某等人2016年跳槽到長鑫存儲時，不僅轉讓半導體「沉積技術」等相關資料，同時還洩露其他7個核心技術資料，以此收受數百億韓元的財物。

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圖／三星電子前部長金某涉嫌將18奈米級DRAM核心技術非法轉讓給中國晶片製造商長鑫存儲。（擷取自Pexels）

這是首爾打擊工業間諜活動，鎖定向中國晶片製造商提供技術洩密的另一起事件。《韓國經濟日報》報導， 檢察官表示，技術洩漏造成的損失可能約2.3兆韓元（約新台幣560億元），此案還涉及來自三星電子的其他供應商，不排除洩密案擴大調查。

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圖／技術洩漏造成的損失可能約2.3兆韓元（約新台幣560億元），此案還涉及來自三星電子的其他供應商，不排除洩密案擴大調查。（擷取Pexels圖庫）

總部位於合肥的長鑫儲存拒絕對此事具體發表評論，但在一份聲明中表示，公司尊重知識產權，並擁有健全的機制來防止員工的第三方資訊流入。

涉案的男子於2016年離開三星前往長鑫存儲。檢察官和法院拒絕就他是否仍在為長鑫存儲工作發表評論，也拒絕就洩密造成的損害程度發表評論。

在南韓打擊工業間諜活動事件中，另一名前三星高層因竊取公司資訊以協助客戶在中國設立晶片工廠而受審，不過，被告的Choi Jinseog否認指控並已保釋。

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