成大晶體研究中心啟動！突破SiC技術創新半導體與雷射產業優勢

【勁報記者于郁金/臺南報導】臺灣半導體材料技術再突破，國立成功大學「晶體研究中心」今(2025)年正式啟動，26日上午在成大南科台達大樓舉行開幕典禮；成大晶體研究中心是目前國內唯一具備超高溫(2300°C以上)大尺寸碳化矽(SiC)晶體生長技術學術機構；未來該中心將攜手全球產業夥伴，加速技術轉移，推動SiC與氧化鎵(Ga₂O₃)材料在半導體、光學、雷射及醫療領域應用，提升臺灣在全球市場競爭力。

26日揭牌儀式後，現場進行最新SiC與氧化鎵晶體技術展示；同日下午，邀集半導體、光學、醫療及雷射產業的頂尖專家齊聚一堂，共同探討高溫晶體技術未來發展，盼透過與業界深度交流，加速技術落地應用，為臺灣晶體技術研發，開啟全新篇章。

成大晶體研究中心長期獲國科會與教育部高教深耕計畫支持，已突破高溫SiC晶體生長技術瓶頸，可生長大尺寸、高純度SiC晶體，為臺灣半導體與功率元件產業提供關鍵材料；這項技術將大幅提升電動車、5G通訊、高效能電源管理等應用效能，助臺灣產業搶占全球市場先機；同時，該中心亦在氧化鎵領域取得重大進展，氧化鎵因擁有超寬能隙特性，被視為下一代高功率電子元件重要材料；透過特殊設計熔融法生長技術，中心團隊已成功製備出高品質氧化鎵晶體，未來將與產業界合作，加速商業化應用助攻臺灣關鍵產業升級。

成大晶體研究中心主持人周明奇教授表示，本次晶體研究中心成立，不僅獲得學術界高度關注，更吸引國內外龍頭企業大力支持；其中，大立光電集團投入數千萬元建置最先進晶體生長設備，並額外投入經費專注於氧化鎵技術開發與技術轉移，使研究規模擴增3倍，推動臺灣在全球晶體技術競爭中領導地位；此外，大立光及其子公司台灣應用晶體公司亦將加入成功大學半導體學院，進行SiC磊晶生長研究，預計將在未來3年內帶來突破性技術成果。

除了國內產學合作，成大晶體研究中心亦積極拓展國際布局，已於立陶宛與拉脫維亞設立研究據點，與當地團隊攜手開發高功率薄片雷射系統(TDL)，並取得重要技術成果；這項技術有望應用於先進雷射醫療、精密加工及光通訊等領域，進一步鞏固臺灣在國際晶體技術市場競爭優勢。

成大晶體研究中心開幕典禮現場產官學研各界來賓雲集，共同見證臺灣晶體研究邁向成熟壯大重要時刻。成大主任秘書羅偉誠代表沈孟儒校長出席致詞表示，晶體研究中心的成立要感謝各界點點滴滴付出與支持；晶體生長技術對於國家關鍵基礎建設、半導體布局以及未來AI發展都扮演重要角色，成大樂意也有信心能夠協助完成這些重要任務。

國科會自然科學及永續研究發展處處長賴明治代表國科會主委吳誠文致詞表示，2012年在國科會支持下中山大學成立尖端晶體聯合材料實驗室，是晶體研究中心前身；今日晶體中心在成大擴大規模開幕，展現臺灣學術機構在先進材料與半導體技術上卓越實力，相信透過持續創新與產學合作，將在高端晶體材料研發與應用上開創更多可能，助推臺灣在國際舞台上持續領航。

教育部主任秘書林柏樵致詞表示，首先恭喜成大迎來非常具有影響力學術人才，周明奇教授不僅學術研究不可取代，行政表現更是望其項背；周明奇教授落地臺南，期盼能匯聚中山、成大研究能量，共同為臺灣學術國際化做更長遠規劃與發展。

台達機電事業群副總經理蔡清雄表示，「國立成功大學台達大樓」為台達創辦人鄭崇華於2008年捐款新台幣2億5千萬，支持母校成功大學於臺南科學園區所建立研發大樓；今日成大晶體研究中心在此啟用，設有超過200坪實驗室空間，及最先進晶體生長設備，相信對未來臺灣相關產業發展也將助益良多。

成大半導體學院蘇炎坤院長表示，晶體研究中心成立是成大半導體學院在晶體研究領域重大進展，也拓展學院在前端材料領域的研究視野與範疇；而大立光企業加入，亦更加壯大了學院合作企業陣容。

成大晶體研究中心主持人周明奇教授過去20年間，在晶體生長設備與技術研發上取得顯著成就，去(2024)年加入成大半導體學院，目前擔任成大半導體學院副院長。周明奇教授特別提及，晶體研究中心成立要感謝國立中山大學在他早期從事晶體研究時，提供大力支持與資源，特別是在鄭英耀校長任內，積極協助爭取高教深耕計畫晶體研究中心成立，所有在中山和他一起打拼夥伴也都是成就今日光彩大功臣。