NEO發表AI記憶體新技術　施振榮：帶來半導體新可能

由矽谷華人許富菖創立的人工智慧（AI）記憶體公司NEOSemiconductor，今天在全球記憶體與儲存產業年度盛會FutureMemoryandStorage（FMS2026）發表新一代AI晶片內建記憶體技術X-SRAM，並同步推出NEO.AI平台，解決AI晶片內建記憶體容量不足等挑戰。

宏碁（2353）集團創辦人施振榮透過旗下智榮基金會發布新聞稿表示，AI正快速改變全球產業，而記憶體將是支撐下一階段AI發展的重要關鍵。

施振榮說，NEOSemiconductor持續推出X-SRAM與NEO.AI等創新技術，為突破AI記憶體瓶頸提供新的方向，期待這些創新能為台灣及全球半導體產業帶來更多可能。

隨著生成式AI與大型語言模型快速發展，AI晶片對記憶體容量的需求持續攀升。然而，傳統SRAM（靜態隨機存取記憶體）在先進製程已逐漸接近微縮極限，使晶片內建快取容量成長受限。

NEOSemiconductor指出，X-SRAM採用全新記憶體架構，可提供相較傳統SRAM最高5倍的記憶體密度，有望讓AI晶片內建記憶體容量由目前約200至400MB提升到1至2GB，並預估降低高頻寬記憶體（HBM）存取功耗約50%至80%。