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2024-06-05 | 科技島

ASML建立新實驗室 開放最先進微影製程設備


ASML建立新實驗室 開放最先進微影製程設備


ASML作為提供全世界各大最先進半導體公司晶片製造機器的唯一生產商,於二月展示最新一代High NA EUV設備後,將預計與合作夥伴IMEC共同開放一測試實驗室,配備當今最高端的EUV微影製程設備,為高端晶片製造商、材料與設備供應商,提供使用高數值孔徑EUV原型掃描器的機會。


編譯/高晟鈞




ASML作為提供全世界各大最先進半導體公司晶片製造機器的唯一生產商,於二月展示最新一代High NA EUV設備後,將預計與合作夥伴IMEC共同開放一測試實驗室,配備當今最高端的EUV微影製程設備,為高端晶片製造商、材料與設備供應商,提供使用高數值孔徑EUV原型掃描器的機會。





ASML建立新實驗室 開放最先進微影製程設備
半導體裝置製造商ASML最新的實驗室,展示最先進微影製程設備。圖取自 Thenextweb



微影製程系統




微影製程系統(Lithography)或稱光刻技術,是一種半導體元件製造的重要步驟,利用曝光和顯影在光阻層上先行刻畫幾何電路圖案(Pattern),然後通過蝕刻製程將圖形縮小轉印到包含矽晶圓、玻璃或其他上材料的基板上,此道製程便稱之為微影。




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微影製程可謂是摩爾定律的前哨戰地,乃兵家必爭之地。隨著工藝節點不斷縮小,光刻技術的波長也從紫外光(UV, 436nm、365nm)一路往深紫外光(DUV, 248nm、193nm),和如今最先進的極紫外光(EUV, 13.5nm)進迭代。




微影製程中若想要優化電路圖案的解析度有兩種做法,一是增加數值孔徑,二是降低光源波長。EUV微影製程選擇第二種作法,將光源波長降低至13.5奈米來提升電路圖案解析度,由於EUV波長太短,非常容易被大氣吸收,因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台便是由ALSM所開發出的Twinscan微影機所獨霸一方。




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最新型的EUV微影製程機檯「High NA EUV」進一步增加了數值孔徑,可以製造更快、更小、更節能的晶片,標價為3.5億歐元,比前一代Low- NA EUV機檯(2億歐元)多出了近一倍。




目前,截至明年上半年為止的High NA EUV訂單已被英特爾一手拿下;然而,如今ASML開放了測試實驗室的操作,無疑提供另一管道,幫助其他潛在客戶與合作夥伴在下單前對該機檯熟悉與了解。




這項操作,無疑能幫助降低High NA EUV在2025至2026年投入大批生產前的技術風險,加快學習曲線,使其與製造業的銜接更為順利。




而對於IMEC來說,該實驗室將作為其位於魯汶的互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術的300毫米無塵室的延伸。現在,與 ASML 的聯合實驗室除了提供難得的機會來測試目前最先進的半導體技術,同時還保留歐洲的研發專業知識,可謂是雙贏局面。




資料來源:Thenextweb



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