SK海力士計劃持續投資103兆韓元,加速HBM市場競爭
南韓 SK 海力士近日宣布,打算到 2028 年投資 103 兆韓元 (約 2.4 台幣),其中 80% 將用於高頻寬記憶體(HBM) 的研發和生產,三星跟美光(MU-US) 隨後也表示將加大對 HBM 的投資,尤其是三星打算將 2026 年 HBM 出貨量,達到去年產量的 13.8 倍,到 2028 年產量將進一步上升至 2023 年產量的 23.1 倍。
文/鉅亨網
南韓 SK 海力士近日宣布,打算到 2028 年投資 103 兆韓元 (約 2.4 台幣),其中 80% 將用於高頻寬記憶體(HBM) 的研發和生產,三星跟美光(MU-US) 隨後也表示將加大對 HBM 的投資,尤其是三星打算將 2026 年 HBM 出貨量,達到去年產量的 13.8 倍,到 2028 年產量將進一步上升至 2023 年產量的 23.1 倍。
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根據市場研究公司 TrendForce 數據,SK 海力士去年佔據全球 HBM 市場 53% 的市佔率,之後是三星的 38% 和美光的 9%。
在全球三大巨頭打得不可開交的同時,中國也正集中火力尋求突破,希望在 2026 年實現國產 HBM 量產。中國記憶體晶片大廠長鑫存儲與武漢新芯近日宣佈正建設 HBM 先進位造工廠,建成後預計每月可生產 3000 片 12 吋晶圓。長鑫存儲還跟封測大廠通富微電合作開發 HBM 樣品,並向潛在客戶展示樣品。
據瞭解,中國國內記憶體晶片大廠此時重點放在 HBM2,主要是為了規避 HBM3 中含有美國技術部分。此次集合國產記憶體晶片上下游廠商,意在集中技術和資源突破國產 HBM 量產。內部訊息顯示,目標是在 2026 年量產 HBM2.
為加快國產 HBM 的突破,近日長鑫存儲母公司睿力集成在上海投資 24 億美元 (約 727 億台幣) 建造一座先進封裝廠,據悉將主要專注於各種先進封裝技術,如用矽穿孔 (TSV) 互聯實現記憶體堆疊,預計將具備每月 3 萬件的封裝能力。該新廠預計 2026 年中投產。
一旦先進封裝廠建成,長鑫存儲將負責生產 HBM DRAM,而睿力集成則將其進行堆棧,快速實現產能的擴充。
AI 晶片能力三個基礎部件分別為 GPU、先進製程 (含 CoWoS 先進封裝) 及 HBM。相比其他兩大部件,中國國產 HBM 處於「人有我無」的狀態,但整個國產 HBM 產業鏈處於蓄力過程之中。目前參與全球 HBM 產業鏈的主要是材料和封測廠。CoWoS 為目前主流 AI 晶片封裝方案。
目前,中國廠商在全球 HBM 產業鏈處於相對邊緣的角色,但 HBM 的研發與製造涉及複雜的製程和技術難題,包括晶圓級封裝、測試技術、設計相容性等,單靠一家記憶體晶片廠商主導突破 HBM 顯然難度巨大。
因此,為保證 2026 年 HBM 具備量產能力,就需要產業鏈上下游通力合作,將存儲廠商、晶圓代工廠、封測廠商等整合一起以實現更快速的突破。
突破 HBM 不僅關乎中國國產記憶體晶片產業的發展,更是國產 AI 產業能否突圍的重要基礎之一。
(本文已獲鉅亨網同意授權刊出)
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