半導體材料技術再突破！成大晶研中心開幕、推動SiC應用

臺灣半導體材料技術再突破！國立成功大學「晶體研究中心」26日在成大南科台達大樓舉行開幕典禮。該中心是目前國內唯一具備超高溫（2300°C以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構，未來將攜手全球產業夥伴，加速技術轉移，推動SiC與氧化鎵（Ga₂O₃）材料在半導體、光學、雷射及醫療領域的應用，提升臺灣在全球市場的競爭力。記者／李琦瑋

臺灣半導體材料技術再突破！國立成功大學「晶體研究中心」26日在成大南科台達大樓舉行開幕典禮。該中心是目前國內唯一具備超高溫（2300°C以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構，未來將攜手全球產業夥伴，加速技術轉移，推動SiC與氧化鎵（Ga₂O₃）材料在半導體、光學、雷射及醫療領域的應用，提升臺灣在全球市場的競爭力。

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成大晶研中心26日開幕，協助半導體材料技術再升級，並推動SiC與氧化鎵（Ga₂O₃）材料的應用。（圖／成大提供）[/caption]

成大主任秘書羅偉誠出席致詞時表示，晶體生長技術對於國家關鍵基礎建設、半導體布局以及未來AI發展都扮演重要角色，成大樂意也有信心能夠協助完成這些重要任務。

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成大半導體學院院長蘇炎坤說，晶體研究中心成立是成大半導體學院在晶體研究領域的重大進展，也拓展學院在前端材料領域的研究視野與範疇。而大立光企業的加入，更加壯大了學院合作企業陣容。

成大指出，該校晶體研究中心長期獲國科會與教育部高教深耕計畫支持，已突破高溫SiC晶體生長的技術瓶頸，可生長大尺寸、高純度的SiC晶體，為臺灣半導體與功率元件產業提供關鍵材料。這項技術將大幅提升電動車、5G通訊、高效能電源管理等應用的效能，助臺灣產業搶占全球市場先機。

成大提到，同時，該中心亦在氧化鎵領域取得重大進展，氧化鎵因擁有超寬能隙特性，被視為下一代高功率電子元件的重要材料，透過特殊設計的熔融法生長技術，中心團隊已成功製備出高品質氧化鎵晶體，未來將與產業界合作，加速商業化應用助攻臺灣關鍵產業升級。

成大晶體研究中心主持人周明奇說，本次晶體研究中心的成立，不僅獲得學術界高度關注，更吸引國內外龍頭企業大力支持，其中，大立光電集團投入數千萬元建置最先進的晶體生長設備，並額外投入經費專注於氧化鎵技術開發與技術轉移，使研究規模擴增3倍，推動臺灣在全球晶體技術競爭中的領導地位。此外，大立光及其子公司臺灣應用晶體公司亦將加入成功大學半導體學院，進行SiC磊晶生長研究，預計將在未來3年內帶來突破性的技術成果。

成大表示，除了國內產學合作，該晶體研究中心亦積極拓展國際布局，已於立陶宛與拉脫維亞設立研究據點，與當地團隊攜手開發高功率薄片雷射系統（TDL），並取得重要技術成果。這項技術有望應用於先進雷射醫療、精密加工及光通訊等領域，進一步鞏固臺灣在國際晶體技術市場的競爭優勢。

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