SK海力士加碼643億美元擴產 新建NAND晶圓廠、先進封裝廠搶攻AI記憶體商機

SK海力士（SK Hynix）宣布，將投資100兆韓元（約643億美元）於韓國清州（Cheongju）興建新一代記憶體晶圓廠及先進封裝設施，進一步擴充AI時代所需的NAND Flash與先進封裝產能，作為韓國總規模約2.1兆美元AI半導體投資計畫的重要一環。記者黃仁杰／編譯

SK海力士（SK Hynix）宣布，將投資100兆韓元（約643億美元）於韓國清州（Cheongju）興建新一代記憶體晶圓廠及先進封裝設施，進一步擴充AI時代所需的NAND Flash與先進封裝產能，作為韓國總規模約2.1兆美元AI半導體投資計畫的重要一環。

SK海力士（SK Hynix）宣布，將投資100兆韓元（約643億美元）於韓國清州（Cheongju）興建新一代記憶體晶圓廠及先進封裝設施。（圖／AI生成）

SK海力士表示，其中80兆韓元將投入興建代號「M17」的新一代NAND Flash晶圓廠，預計於2029年前完成；另外20兆韓元則將興建先進封裝工廠，預計2027年底前完工。

這也是SK海力士本週宣布100兆韓元投資計畫後，首度公開各項投資細節。

此次投資屬於韓國政府本週公布的大規模半導體發展藍圖的一部分，三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士合計將投入約3200兆韓元（約2.1兆美元），涵蓋既有半導體聚落、新建晶圓廠及韓國西南部新半導體園區等多項建設。

韓國總統李在明表示，希望藉由AI及半導體投資，帶動首爾以外地區經濟發展，推動產業與就業機會向地方擴散。

外界近期質疑政府是否施壓企業前往韓國西南部投資，李在明則回應，相關說法屬於「過時的思維」，強調政府目標是提升整體國家競爭力。

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AI推升記憶體需求 NAND與DRAM同步吃緊

近年全球AI資料中心快速擴建，帶動各類記憶體需求同步攀升。

除高頻寬記憶體（HBM）外，NAND Flash及DRAM價格也持續創下歷史新高。

NAND Flash主要負責資料儲存，即使裝置斷電仍可保留資料，廣泛應用於SSD、智慧型手機及AI伺服器等產品。

SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-jung）表示，目前NAND需求持續增加，未來仍可望保持成長，但市場供給仍相當有限，因此公司決定持續擴充產能。

根據規畫，SK海力士將於明年正式動工興建M17晶圓廠。

事實上，今年4月公司已在清州動工興建P&T7先進封裝工廠，未來將專門負責AI記憶體，包括高頻寬記憶體（HBM）等產品的封裝製造。

市場憂AI投資過熱 晶片股同步重挫

儘管SK海力士持續擴產，市場近期對AI投資規模也開始出現疑慮。

受到Meta宣布將出售部分AI運算能力，引發市場對AI算力是否過剩的擔憂，全球半導體股週四同步走弱。

SK海力士股價當日下跌15%，三星電子也重挫9%。

此外，曾成功預測2008年美國次貸危機、電影《大賣空》（The Big Short）主角原型之一的知名投資人Michael Burry，也對韓國本次大規模AI投資提出警告。

根據《華爾街日報》報導，Burry於Substack付費專欄指出，目前AI產業投入的資本規模過於龐大，他質疑未來是否真能產生足夠投資報酬，甚至形容這可能是「泡沫開始破裂的起點」。

不過，SK海力士對市場前景仍維持樂觀。

公司指出，目前AI帶動的記憶體需求仍持續強勁，供給依舊吃緊，因此看好NAND及HBM市場中長期發展。

但SK海力士也強調，100兆韓元投資屬於長期規畫，未來仍將視全球半導體需求、主要客戶資本支出及建廠進度調整投資時程，若市場環境出現重大變化，不排除重新調整相關計畫。

來源：路透社

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