SK海力士2029年在美量產HBM4E 執行長：缺貨恐延續至2030年底

SK海力士（SK Hynix）宣布，計畫於2029年第3季在美國印第安納州據點開始量產下一代HBM4E高頻寬記憶體。執行長郭魯正並預期，目前記憶體晶片供應短缺的情況可能一路延續至2030年底。記者黃仁杰／編譯

SK海力士（SK Hynix）宣布，計畫於2029年第3季在美國印第安納州據點開始量產下一代HBM4E高頻寬記憶體。執行長郭魯正並預期，目前記憶體晶片供應短缺的情況可能一路延續至2030年底。

SK海力士（SK Hynix）宣布，計畫於2029年第3季在美國印第安納州據點開始量產下一代HBM4E高頻寬記憶體。（圖／AI生成）

SK海力士在印第安納州投資超過40億美元，隨著AI基礎設施投資持續推升HBM需求，公司希望將生產據點拉近輝達、微軟與Google等美國主要客戶。郭魯正表示，該基地未來年產能最終可達數十萬片晶圓規模。

2028年啟用無塵室 2029年HBM4E量產

SK海力士位於西拉法葉（West Lafayette）普渡研究園區（Purdue Research Park）的據點，預計2028年下半年啟用無塵室，2029年第3季開始量產HBM4E，並希望在2030年前將當地打造為公司在美國的重要HBM生產基地。

該基地將設置下一代HBM封裝產線以及AI半導體研發設施，並與SK海力士南韓生產基地密切整合。

依照規畫，先進晶圓仍將在南韓生產，再運往印第安納州進行封裝與測試，最後供應美國客戶。

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SK海力士表示，隨著各國競相擴建AI基礎設施，印第安納州據點將串聯南韓與美國生產體系，不僅有助穩定美國半導體供應鏈，也將強化AI時代的經濟與安全韌性。

記憶體缺貨看到2030年底

對於目前記憶體景氣，郭魯正表示，現階段尚未看到明確的反轉跡象，預期供應短缺將持續至2030年底。

他認為，即使未來需求成長放緩，也較可能是增速趨緩，而非需求大幅下滑，因此並不擔心2030年之後的市場展望。

HBM透過垂直堆疊多層DRAM，提高資料傳輸速度並降低功耗，已成為AI加速器的重要零組件。由於HBM必須與AI處理器高度整合，技術門檻高於傳統記憶體，也讓供應商擁有較高的議價能力。

Counterpoint Research統計顯示，2026年第1季SK海力士以營收計算占全球HBM市場58%，大幅領先三星電子與美光，後兩者市占率均為21%。

印第安納投資估創造7千個工作機會

SK海力士預估，印第安納州廠區與相關供應鏈投資將在當地創造約7,000個直接與間接工作機會。

美國政府已於2024年12月依《晶片法案》（CHIPS Act），敲定向SK海力士提供4.58億美元補助，以及最高5億美元貸款。

另一方面，SK海力士本月稍早也批准至2031年在南韓投入約54.3兆韓元、約383億美元，其中35.2兆韓元將用於龍仁與清州半導體生產基地的後續建設。

至於旗下NAND Flash業者Solidigm赴美上市計畫是否已經撤回，郭魯正表示，目前相關方案仍在討論，尚未決定放棄美國IPO計畫。

來源：路透社

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