M31與台積電發布N6e平台記憶體編譯器 搶攻AIoT

矽智財（IP）廠M31今天宣布，旗下低功耗IP解決方案擴展至台積電的N6e平台，新推出低漏電（ULL）、極低漏電（ELL）以及低電壓操作（Low-VDD）記憶體編譯器，搶攻智慧物聯網（AIoT）領域。

M31今天參加台積電北美開放創新平台（OIP）生態系論壇，M31發布新聞稿指出，今年再度獲得台積電OIP年度合作夥伴特殊製程IP獎，已連續8年獲獎，展現在台積電OIP生態系中的卓越貢獻與緊密合作關係。

M31總經理張原熏說，M31與台積電長期的合作關係，是M31持續創新的重要基石。從N12e低功耗解決方案到最新的N6e ULL、ELL及Low-VDD記憶體編譯器，M31不斷推出IP協助AIoT與邊緣應用加速晶片設計的成功落地。

其中，ULL記憶體編譯器能實現動態電壓與頻率調整。ELL記憶體編譯器可以提升功耗效率，在深度睡眠模式下可降低高達50%功耗，滿足對能效與晶片面積要求嚴苛的設計需求，同時兼顧速度與彈性。

Low-VDD記憶體編譯器可在僅0.5V的操作電壓下運行，可以大幅降低動態與漏電功耗。張原熏表示，期待未來與台積電及OIP生態系夥伴深化合作，共同推動AI人工智慧驅動技術的持續發展。