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2021-11-30 | 中央社

東芝推出用於IGBT/MOSFET閘極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

東芝推出用於IGBT/MOSFET閘極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

(中央社訊息服務20211130 16:53:36)日本川崎--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)推出了採用薄型SO6L封裝的兩款光耦TLP5705H和TLP5702H,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣閘極驅動IC。這兩款元件即日起開始量產出貨。

此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20211129005274/en/

TLP5705H採用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄型封裝(SO6L),是東芝首款可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。採用緩衝電路進行電流放大的中小型逆變器和伺服放大器等設備,現在可直接透過該光耦驅動其IGBT/MOSFET而無需任何緩衝器。這將有助於減少元件數量並實現設計小型化。

TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可相容東芝傳統的SDIP6封裝的焊盤[1],便於替代東芝現有產品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠為電路板元件布局提供更高的靈活性,並支援電路板背面安裝,或用於元件高度受限的新型電路設計。

這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃(Ta=-40至125ºC),使其更容易設計和保持溫度裕度。

此外,東芝提供的同系列元件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),採用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。

注:[1]封裝高度:4.25毫米(最大值)[2]目前產品:採用SDIP6封裝的TLP700H

應用

工業設備

•工業逆變器、交流伺服驅動器、太陽能逆變器、UPS等。

特性

•高峰值輸出電流額定值(Ta=-40℃至125℃時) IOP=±2.5A (TLP5702H) IOP=±5.0A (TLP5705H)•薄型SO6L封裝 •高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125°C

主要規格(除非另有說明,Ta=-40℃至125℃時)元件型號 TLP5702H TLP5705H TLP5702H(LF4) TLP5705H(LF4)封裝名稱 SO6L SO6L(LF4)尺寸(mm) 10×3.84(典型值)

厚度:2.3(最大值) 11.05×3.84(典型值)

厚度:2.3(最大值)絕對最大額定值 工作溫度Topr (°C)-40至125 峰值輸出電流IOPH/IOPL (A)±2.5 ±5.0 ±2.5 ±5.0 電氣特性峰值高電平輸出電流

IOPH最大值(A) IF=5mA,

VCC=15V,

V6-5=-7V時-2.0 峰值低電平輸出電流

IOPL最小值(A) IF=0mA,

VCC=15V,

V5-4=7V時2.0 峰值高電平輸出電流(L/H)

IOLH最大值(A) IF=0→10mA,

VCC=15V,

Cg=0.18μF,

CVDD=10μF時- -3.5 - -3.5 峰值低電平輸出電流(H/L)

IOHL最小值(A) IF=10→0mA,

VCC=15V,

Cg=0.18μF,

CVDD=10μF時- 3.0 - 3.0 電源電壓VCC (V) 15至30 電源電流ICCH、ICCL最大值(mA) 3.0 輸入電流閾值(L/H)

IFLH最大值(mA) 5 開關特性傳播延遲時間

tpHL、tpLH最大值(ns) 200 脈衝寬度失真

|tpHL–tpLH|最大值(ns) 50 傳播延遲差

(元件到元件)

tpsk (ns)-80至80 共模

瞬變抗性

CMH、CML最小值(kV/μs) Ta=25°C時±50 隔離特性隔離電壓

BVS最小值(Vrms) Ta=25°C時 5000 樣品查詢與供貨情況 線上購買線上購買- -

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TLP5705H https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TTLP5705H.html

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