格棋砸6億建中壢新廠 預計Q4達滿產

CNEWS匯流新聞網記者許哲綱／台北報導

台灣專業碳化矽（SiC）長晶技術廠商格棋化合物半導體公司，今（23）日舉行中壢新廠落成典禮，並宣布與國家中山科學研究院合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局。

格棋表示，專注於化合物半導體長晶等第三代化合物半導體的工藝技術開發，研發團隊成員在化合物半導體領域擁有豐富經驗。此次中壢新廠總投資金額達新台幣6億元，預計2024年第四季達到滿產。其中6吋碳化矽晶片月產能可達5,000片，至2024年底，新廠將安裝20台8吋長晶爐及100台6吋長晶爐，大幅提升整體產能。此外，新廠還可提供超過50個就業機會。

因應全球ESG趨勢，格棋說明，中壢新廠規劃導入能源管理系統及儲能系統，並整合再生能源系統，透過削峰填谷方式平衡能源需求，減少高峰時段的能源負荷，進一步降低能源成本及碳排放。格棋董事長張忠傑指出，中壢新廠的落成是格棋發展的重要里程碑。將持續投資先進設備與技術，以滿足日益成長的市場需求，鞏固全球碳化矽供應鏈中的關鍵地位。

在新廠落成之際，格棋宣布與中科院簽署合作協議，雙方將共同開發高頻通訊用碳化矽元件，透過此次合作加速進軍高頻通訊碳化矽市場的腳步，為5G/B5G通訊基礎建設提供關鍵元件。另一方面，格棋宣布與三菱綜合材料商貿簽署合作協議，將由三菱綜合材料商貿向日系客戶提供6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）磊晶片（EPI Wafer）材料，格棋負責整合台灣合作夥伴資源，向日本客戶供應6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）與磊晶片（EPI Wafer）。

格棋強調，擁有獨特的碳化矽晶體成長技術，包括特殊的晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術，以及原料控制和熱處理技術，核心技術可有效提升晶體質量，降低缺陷密度，為客戶提供高品質、高可靠性的碳化矽晶圓；隨著中壢新廠的落成，以及與不同領域夥伴的戰略合作，正式邁入另一發展階段，未來將持續投資研發，優化製程技術，提供客戶高品質的碳化矽晶圓產品，強化台灣在全球第三代半導體產業中的領先地位。

照片來源：CNEWS匯流新聞網記者許哲綱攝

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