陳立武現身英特爾晶圓代工盛會 揭示14A製程技術與先進封裝進展

英特爾今(30)日於Intel Foundry Direct Connect 2025的年度活動上，正式公開14A製程技術細節與先進封裝進展。英特爾執行長陳立武指出，透過14A節點與Foveros Direct (3D堆疊)封裝技術的整合，將為客戶提供「系統級代工解決方案」，目標在2025年實現18A製程量產後，成為世界級的晶圓代工廠，進一步鞏固其在半導體製造領域的領導地位。記者孟圓琦／台北報導

英特爾今(30)日於Intel Foundry Direct Connect 2025的年度活動上，正式公開14A製程技術細節與先進封裝進展。英特爾執行長陳立武指出，透過14A節點與Foveros Direct (3D堆疊)封裝技術的整合，將為客戶提供「系統級代工解決方案」，目標在2025年實現18A製程量產後，成為世界級的晶圓代工廠，進一步鞏固其在半導體製造領域的領導地位。

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英特爾今（30）日於「Intel Foundry Direct Connect 2025」活動中，分享多個世代核心製程與先進封裝技術的最新進展，並宣布全新生態系計畫與合作夥伴關係，邀請產業領袖共同探討系統級晶圓代工方法如何促進夥伴間的合作。(圖/英特爾官網影片截圖)[/caption]

14A製程導入PowerDirect供電技術 2025年進入風險試產

14A作為18A後繼節點，採用PowerDirect直接接觸供電技術（direct contact power delivery），延續18A的PowerVia背部供電技術的架構，並優化晶片互連密度。根據最新技術文件，PowerDirect透過銅互連層直接供電，可降低電壓降並提升能源效率，適用於高效能運算與AI加速晶片設計。英特爾已向主要客戶提供14A製程設計套件（PDK）早期版本，多家客戶正進行測試晶片設計。陳立武透露，18A目前正處於風險試產階段，預計2025年推出18A-P（效能強化版）與18A-PT（整合Foveros Direct 3D封裝）兩款衍生製程，其中18A-PT的晶片互連距離將縮至5微米以下。

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Foveros-R/B封裝架構問世 混合堆疊突破物理極限

在先進封裝領域，英特爾新增Foveros-R（重佈線層）與Foveros-B（橋接互連）架構，強化異質晶片整合能力。Foveros Direct技術採用銅對銅（Cu-to-Cu）鍵結，第二代銅線間距將從9微米縮小至3微米，提升接點密度與互連頻寬。此技術可混合封裝14A與18A-PT製程晶片，例如將邏輯晶片與高頻寬記憶體（HBM）垂直堆疊，搭配EMIB-T技術滿足AI加速器需求。封測合作夥伴艾克爾（Amkor）將協助量產，提供客製化封裝方案。

美國製造進程加速 Fab 52投產18A製程

亞利桑那州Fab 52晶圓廠已成功投產，完成首批晶圓製造；奧勒岡州廠區預計2025年下半啟動18A量產。此外，新墨西哥州Fab 9工廠專攻3D Foveros封裝，先前已於2024年始大規模生產，預計2025年產能提升四倍。陳立武強調，14A與18A研發均以美國本土為基地，結合「晶圓代工小晶片聯盟」與「價值鏈聯盟」，提供從IP、EDA工具與設計服務解決方案產品組合服務。

生態系聯盟鎖定政府與商用市場 整合競爭對手技術

英特爾亦推出多項新計畫，其中「晶圓代工小晶片聯盟」初期聚焦於政府應用和關鍵商用市場，定義並推動先進技術的基礎架構。此聯盟將為客戶提供有保障且可規模化的路徑，協助客戶針對特定應用與市場，運用可互通且安全的小晶片解決方案進行布署設計。

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