工研院赴日 發表車用驅動碳化矽功率模組

[NOWnews今日新聞] 工研院今（22）日在日本國際電子製造關連展（NEPCON JAPAN）發表車用碳化矽（SiC）技術解決方案，並以「電動車驅動及充電方案」、「功率氮化鎵（GaN）」、「功率氧化鎵（Ga2O3）」以及「400kW大電力直流變壓器」四大專區，展示逾10項新一代寬能隙功率半導體前瞻技術成果。

工研院電子與光電系統研究所所長張世杰表示，電動車是淨零運輸的主流，為了符合低碳永續趨勢又要兼具續航力，且能在高壓、高溫下穩定運行，具備更高的功率密度的寬能隙化合物半導體（Wide-bandgap Semiconductor；WBG）材料之一碳化矽（SiC），成為目前電動車技術深受關注的元件材料。

工研院長期投入化合物功率半導體的發展，提供完整且高轉換效率的「車載碳化矽技術解決方案」，涵蓋碳化矽功率元件與模組化、馬達驅動、車載充電與充電樁等電動車核心技術，本次展出與台達共同開發的碳化矽功率模組，是具備提升電動車動力效能、延長續航能力、加速充電設備發展的最新車載半導體技術。

「1200V/660A T2系列碳化矽功率模組」採用碳化矽功率半導體製程，主要應用於牽引變頻器（Traction Inverter），可加強散熱效果並降低耗能，同時提高系統功率密度，有效降低變頻器產品的體積與重量，延長電動車續航里程，並提升車輛加速與動力輸出。

「400kW大電力直流變壓器」展區中，也展出工研院與美國阿肯色大學（University of Arkansas）合作，透過工研院開發的3.3kV碳化矽功率模組整合於400kW直流變壓器。此變壓器進行系統效能的驗證，證實同樣於直流電壓1800V、電流375A、操作溫度150℃的條件下，模組切換損失比商用模組節省30%，系統效率並可達到98%以上的效能。

工研院致力下世代功率元件的設計開發，本次展出利用先進製程產出的「氮化鎵」、「氧化鎵」等功率元件，已有不少國內外車用零組件廠商聯繫與洽詢。面對新時代的機會與挑戰，工研院持續聚焦市場新價值、新需求，擬定《2035技術策略與藍圖》作為研發方向，並發展「智慧化致能技術」以促成智慧車輛應用領域，深化跨領域合作優勢，用技術研發推進產業經濟與社會永續發展，持續與國內外夥伴深化合作，加速技術商業化與應用推廣，為電動車與半導體產業注入更多動能。

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